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真人AG博彩—EMI控製方法
編輯:山西索曼科技有限公司   時間:2017-06-09

屏蔽功率是對屏蔽體進行功能評價的一個指數,它的表達式為:


  SE(db)=A+R+B


  1) 其間A為吸收損耗,吸收損耗是指電磁波穿過屏蔽罩時能量損耗的數量,吸收損耗能夠通過下麵的公式核算:


  AdB=1.314(f*σ*μ)1/2*t


  f: 頻率(MHz) μ:銅的導磁率 σ:銅的導電率 t:屏蔽體厚度


  2) R指反射損耗,反射損耗(近場)的巨細取決於電磁波發生源的性質以及與波源的間隔。關於杆狀或直線形發射天線而言,離波源越近波阻抗越高,然後跟著與波源間隔的增加而下降,但平麵波阻抗則無改變(恒為377)。相反,假如波源是一個小型線圈,則此刻將以磁場為主,離波源越近波阻抗越低,波阻抗跟著與波源間隔的增加而增加,但當間隔超過波長的六分之一時,波阻抗不再改變,恒定在377處。反射損耗隨波阻抗與屏蔽阻抗的比率改變,因而它不僅取決於波的類型,並且取決於屏蔽罩與波源之間的間隔。這種狀況適用於小型帶屏蔽的設備。


  近場反射損耗可按下式核算:


  R(電)db=321.8-(20*lg r)-(30*lg f)-[10*lg(μ/σ)]


  R(磁)db=14.6+(20*lg r)+(10*lg f)+[10*lg(μ/σ)]


  其間r指波源與屏蔽之間的間隔。


  3) SE算式最後一項是校對因子B,其核算公式為:


  B=20lg[-exp(-2t/σ)]


  此式僅適用於近磁場環境並且吸收損耗小於10dB的狀況。由於屏蔽物吸收功率不高,其內部的再反射會使穿過屏蔽層另一麵的能量增加,所以校對因子是個負數,表明屏蔽功率的下降狀況。


  也即是說,我們想抑製住EMI,有必要進步屏蔽功率,那麽,屏蔽資料的挑選也變得很主要了.隻有如金屬和鐵之類導磁率高的資料才幹在極低頻率下到達較高屏蔽功率。這些資料的導磁率會跟著頻率增加而下降,別的假如初始磁場較強也會使導磁率下降,還有即是選用機械辦法將屏蔽罩作成規則形狀同樣會下降導磁率。


  在高頻電場下,選用薄層金屬作為外殼或內襯資料可到達傑出的屏蔽作用,但條件是屏蔽有必要接連,並將靈敏有些徹底遮蓋住,沒有缺口或縫隙(構成一個法拉第籠)。然而在實踐中要製作一個無接縫及缺口的屏蔽罩是不也許的,由於屏蔽罩要分紅多個有些進行製作,因而就會有縫隙需求接合,別的通常還得在屏蔽罩上打孔以便裝置與插卡或裝置組件的連線。


  規劃屏蔽罩的艱難在於製作過程中不可避免會發生孔隙,並且設備運轉過程中還會需求用到這些孔隙。製作、麵板連線、通風口、外部監測窗口以及麵板裝置組件等都需求在屏蔽罩上打孔,然後大大下降了屏蔽功能。盡管溝槽和縫隙不可避免,但在屏蔽規劃中對與電路作業頻率波長有關的溝槽長度作細心思考是很有優點的。


  任一頻率電磁波的波長為:波長(λ)=光速(C)/頻率(Hz)


  當縫隙長度為波長(截止頻率)的一半時,RF波開端以20dB/lO倍頻(1/10截止頻率)或6dB/8倍頻(1/2截止頻率)的速率衰減。通常RF發射頻率越高衰減越嚴峻,由於它的波長越短。當涉及到最高頻率時,有必要要思考也許會呈現的任何諧波,


  一旦知道了屏蔽罩內RF輻射的頻率及強度,就可核算出屏蔽罩的最大允許縫隙和溝槽。例如假如需求對1GHz(波長為300mm)的輻射衰減,則150mm的縫隙將會開端發生衰減,因而當存在小於150mm的縫隙時,1GHz輻射就會被衰減。所以對1GHz頻率來講,若需求衰減20dB,則縫隙應小於15 mm(150mm的1/10),需求衰減26dB時,縫隙應小於7.5mm(15mm的1/2以上),需求衰減32dB時,縫隙應小於3.75mm(7.5mm的1/2以上)。


  可選用適宜的導電襯墊使縫隙巨細限定在規則尺度內,然後完成這種衰減作用。由於接縫會致使屏蔽罩導通率下降,因而屏蔽功率也會下降。要留意低於截止頻率的輻射其衰減隻取決於縫隙的長度直徑比,例如長度直徑比為3時可獲得100dB的衰減。在需求穿孔時,可利用厚屏蔽罩上麵小孔的波導特性;另一種完成較高長度直徑比的辦法是附加一個小型金屬屏蔽物,如一個巨細適宜的襯墊。上述原理及其在多縫狀況下的推行構成多孔屏蔽罩規劃根底。


  多孔薄型屏蔽層:多孔的例子許多,比如薄金屬片上的通風孔等等,當各孔距離較近時規劃上有必要要細心思考。下麵是此類狀況下屏蔽功率核算公式


  SE=[20lg(fc/o/σ)]-10lg n其間f截止頻率n:孔洞數目


  留意此公式僅適用於孔距離小於孔直徑的狀況,也可用於核算金屬編織網的有關屏蔽功率。


  接縫和接點:電焊、銅焊或錫焊是薄片之間進行永久性固定的常用方法,接合部位金屬外表有必要整理潔淨,以使接合處能徹底用導電的金屬填滿,堅持高阻狀況.導電襯墊的作用是削減接縫或接合處的槽、孔或縫隙,使RF輻射不會發出出去。EMI襯墊是一種導電介質,用於添補屏蔽罩內的空地並供給接連低阻抗接點。


  屏蔽墊片體係:一個需求思考的主要因素是緊縮,緊縮能在襯墊和墊片之間發生較高導電率。襯墊和墊片之間導電性太差會下降屏蔽功率,別的接合處假如少了一塊則會呈現細縫而構成槽狀天線,其輻射波長比縫隙長度小約4倍。


  保證導通性首先要保證墊片外表滑潤、潔淨並通過必要處理以具有傑出導電性,這些外表在接合之前有必要先遮住;別的屏蔽襯墊資料對這種墊片具有繼續傑出的粘合性也非常主要。導電襯墊的可緊縮特功能夠補償墊片的任何不規則狀況。


  一切襯墊都有一個有用作業最小觸摸電阻,規劃人員能夠加大對襯墊的緊縮力度以下降多個襯墊的觸摸電阻,當然這將增加密封強度,會使屏蔽罩變得更為曲折。大多數襯墊在緊縮到本來厚度的30%至70%時作用比較好。因而在主張的最小觸摸麵範圍內,兩個相向凹點之間的壓力應足以保證襯墊和墊片之間具有傑出的導電性。


  另一方麵,對襯墊的壓力不該大到使襯墊處於非正常緊縮狀況,由於此刻會致使襯墊觸摸失效,並也許發生電磁走漏。與墊片別離的請求關於將襯墊緊縮控製在製作商主張範圍非常主要,這種規劃需求保證墊片具有足夠的硬度,避免在墊片緊固件之間發生較大曲折。在某些狀況下,也許需求別的一些緊固件以避免外殼構造曲折。


  緊縮性也是滾動接合處的一個主要特性,如在門或插板等方位。若襯墊易於緊縮,那麽屏蔽功能會跟著門的每次滾動而下降,此刻襯墊需求更高的緊縮力才幹到達與新襯墊一樣的屏蔽功能。在大多數狀況下這不太也許做得到,因而需求一個長時刻EMI解決方案。


  假如屏蔽罩或墊片由塗有導電層的塑料製成,則增加一個EMI襯墊不會發生太多疑問,可是規劃人員有必要思考許多襯墊在導電外表上都會有磨損,通常金屬襯墊的鍍層外表更易磨損。跟著時刻增加這種磨損會下降襯墊接合處的屏蔽功率,並給後邊的製作商帶來費事。


  假如屏蔽罩或墊片構造是金屬的,那麽在噴塗拋光資料之前可加一個襯墊把墊片外表包住,隻需用導電膜和卷帶即可。若在接合墊片的兩頭都運用卷帶,則可用機械固件對EMI襯墊進行緊固,例如帶有塑料鉚釘或壓敏粘結劑(PSA)的“C型”襯墊。襯墊裝置在墊片的一邊,以完成對EMI的屏蔽。


  推行開來說,不僅僅針對高頻電路,通常體係都需求進行屏蔽,這是由於構造自身存在一些槽和縫隙。所需屏蔽可通過一些基本原則斷定,可是理論與實際之間仍是有不同。例如在核算某個頻率下襯墊的巨細和距離時還有必要思考信號的強度,如同在一個設備中運用了多個處理器時的景象。外表處理及墊片規劃是堅持長時刻屏蔽以完成EMC功能的關鍵因素。


 


 


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